回路設計

ターンオン・ターンオフとは?|MOSFETがON/OFFする瞬間に何が起きているか

ターンオン・ターンオフとは何か。MOSFETがON/OFFする瞬間に何が起きているか

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設計レビューで、こんな会話が飛び交っていませんか?

「ここのターンオンを速くしたいんだけど、ゲート抵抗を下げる?」
「いや、ターンオフでサージが暴れるからダメでしょ」
「じゃあ別々にすれば?」

周りは当たり前のように「ターンオン」「ターンオフ」と話している。あなたも雰囲気で頷いているけど、正直なところ「ON/OFFする瞬間に、MOSFETの中で何が起きているのか」を、絵として説明できますか?

こんな経験はありませんか?
  • 「ターンオン」「ターンオフ」が単なる「ON/OFF」と何が違うのか説明できない
  • 波形の動きは見たけど、MOSFETの中で何が起きているかイメージできない
  • 「電子がチャネルを通る」と言われてもピンとこない
  • 後輩から「なんで一瞬で切り替わらないんですか?」と聞かれて答えに詰まる
○ この記事でわかること
  • 「ターンオン」「ターンオフ」の本当の意味(単なるON/OFFとの違い)
  • MOSFETの中で起きている物理現象を、ダムの水門でイメージできる
  • なぜ「一瞬で」切り替わらないのか、その理由が直感的にわかる
  • ターンオン/オフが速い・遅いで何が変わるのかが見える

結論を先に言います。ターンオン・ターンオフとは、MOSFETの中の「電子の通り道(チャネル)」が開いたり閉じたりする過程のことです。スイッチを押したら一瞬で切り替わる照明とは違って、「物理的な準備時間」が必要です。この記事では、その準備時間に何が起きているかを完全図解します。

そもそも「ターンオン/ターンオフ」って何?

まず混乱しやすいのが、「ON/OFF」と「ターンオン/ターンオフ」の違いです。これ、似ているようで全然違います。

ON / OFF

「状態」を表す言葉。
例:「今、MOSFETはONです」「今、OFFです」

→ スナップショット(瞬間の写真)

ターンオン / ターンオフ

「切り替わる過程」を表す言葉。
例:「ターンオン中はサージが出る」

→ ビデオ映像(時間のある現象)

わかりやすくたとえると、こんな感じです。

用語 日常のたとえ 時間の長さ
ON状態 電車が走り続けている状態 継続的
ターンオン 駅から発車して、最高速度に達するまで 数十〜数百ナノ秒
OFF状態 電車が駅に停まっている状態 継続的
ターンオフ 最高速度から、ブレーキで停まるまで 数十〜数百ナノ秒
ポイント
ON/OFFは「状態」、ターンオン/ターンオフは「過程」。データシートやレビューで「ターンオン時間が長い」と言われたら、それは「OFFからONになるまでに時間がかかる」という意味です。

MOSFETの中身を、まずは超シンプルに理解する

ターンオン/オフの中身を理解するには、MOSFETの内部構造をざっくりイメージできる必要があります。難しい半導体物理の話は一切しません。「3つの端子と、その間にある通り道」だけ覚えてください。

MOSFETの3つの端子

端子 役割 ダムでたとえると
ゲート(G) 操作する入口(信号を入れる) ダムの管理人室(水門の操作レバー)
ドレイン(D) 電流が入ってくる側(高電位) ダムの上流(水が溜まっている側)
ソース(S) 電流が出ていく側(低電位) ダムの下流(水が流れていく側)

そして、ドレインとソースの間には「チャネル」と呼ばれる電子の通り道があります。このチャネルが「開いたり」「閉じたり」することで、電流が流れたり止まったりします。

ダムの水門に置き換えると、こうなる

ダムの上流に水が溜まっている(=ドレインに電源電圧)
真ん中に水門がある(=チャネル)
管理人室で水門を開閉する(=ゲート信号)
水門が開けば、水が下流に流れる(=電流がソースへ流れる)
水門が閉じれば、水は止まる(=電流ゼロ)

ここで重要なのは、水門は瞬時には開かないということです。管理人がレバーを引いても、水門のゲートが物理的に動くまで時間がかかる。これがまさに「ターンオン時間」の正体です。

おすすめの本

「ターンオン・ターンオフ」は、回路シミュレータで電圧や電流の波形を見ながら確かめると理解が深まります。無料の回路シミュレータLTspiceを使って、電子回路を学べる本です(オーム社、渋谷道雄 著)。

なぜ「一瞬で」切り替わらないのか?|ゲートに隠れた「コンデンサ」の正体

家のスイッチを押せば、照明はパッと点きます。でもMOSFETは、ゲートに電圧をかけてもすぐにはONになりません。なぜでしょうか?

答えは、「ゲートに見えない『コンデンサ』が隠れているから」です。

ゲートは「コンデンサ」だった

MOSFETのゲート端子は、内部構造的には非常に薄い絶縁膜(酸化膜)で覆われています。ゲートの金属と、その下の半導体の間に絶縁膜があるので、これは電気的には「平行平板コンデンサ」そのものなんです。

ゲートの内部構造

  • 上:金属(ゲート端子)
  • 真ん中:絶縁膜(薄い酸化膜)
  • 下:半導体

→ 構造的に「コンデンサ」と同じ

何が起きるか

  • 電圧をかけると充電が必要
  • 充電には電荷の移動時間が必要
  • 満タンになるまで時間がかかる

→ これが「ターンオン時間」

ここがすべての本質
MOSFETを「ONにする」とは、つまり「ゲートのコンデンサを充電する」ことです。「OFFにする」とは「ゲートのコンデンサを放電する」ことです。これさえ覚えれば、ゲート抵抗の役割もスイッチング時間の理由も全部つながります。

水道のたとえで言えば、ハンドルがついている軸がとても重いイメージ。レバーを引いても、軸が回転しきるまで時間がかかる。重い水門を動かすのに時間が必要なのと同じです。

ターンオンの瞬間|MOSFETの中で何が起きているか

ここからが本題です。ターンオン中、MOSFETの中で起きている物理現象を、ダムの水門でストーリーとして追っていきます。

⏱ ステージ1:管理人がレバーを握る

MOSFET内部で起きていること:
ゲートに電圧をかけ始めるが、まだコンデンサ(ゲート容量)が充電中。チャネルはまだ閉じている。

ダムでたとえると:管理人がレバーに手をかけたばかり。水門はまだピクリとも動かない。

ステージ2:水門がついに動き出す

MOSFET内部で起きていること:
ゲート電圧が「しきい値電圧(Vth)」を超えると、半導体の中に電子が集まり始め、チャネル(電子の通り道)ができ始める。電流がジワジワ流れ始める。

ダムでたとえると:水門の隙間から水が漏れ始める。まだチョロチョロだけど、確実に流れている。

ステージ3:水門が一気に開く(ミラープラトー)

MOSFET内部で起きていること:
チャネルが急に広がり、ドレイン-ソース間の電圧(Vds)が急降下する。この間ゲート電圧は不思議と平らなまま(ミラープラトー現象)。

ダムでたとえると:水門が一気に開いて、上流の水位(水圧)が急に下がる。レバーは一旦止まったように見える。

○ ステージ4:水門が完全開放

MOSFET内部で起きていること:
ゲートのコンデンサが完全に充電され、チャネルが最大限に広がる。MOSFETは「完全ON」状態。電流が安定して流れ続ける。

ダムでたとえると:水門が全開になり、安定して大量の水が流れている状態。

ターンオンの本質
ターンオンとは、つまり「ゲートのコンデンサを充電して、チャネルを少しずつ広げていく過程」です。スイッチを押した瞬間に「パッ」と切り替わるのではなく、物理現象として段階を踏んで進むのです。
おすすめの本

パワーエレクトロニクスの基本から順に学び直したいときに向いています。パワーエレクトロニクスの基本を、つまずいている人向けにやさしく解説した入門書です(オーム社)。

ミラープラトーとは?Vgsが平らになる理由と時間の計算|MOSFET
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ターンオフの瞬間|逆再生で見るとわかりやすい

ターンオフは、ターンオンを逆再生した動きになります。ただし1つ、重大な違いがあります。それは「サージ電圧」です。

⏱ ステージ1:放電開始

MOSFET内部:ゲートのコンデンサが放電を始めるが、まだ電圧は高い。チャネルは広がったまま。

ダム:管理人がレバーを逆方向に動かし始める。水門はまだ全開のまま。

ステージ2:水門が閉じ始める(ミラープラトー)

MOSFET内部:チャネルが急に狭くなり、ドレイン電圧(Vds)が一気に上昇する。

ダム:水門が閉じ始め、上流の水位(水圧)が急に上がる。

ステージ3:電流カット → ここでサージ発生

MOSFET内部:チャネルがほぼ閉じ、電流が急減。配線のインダクタンスが「電流を流し続けたい!」と暴れて、逆起電力(サージ電圧)が発生する。

ダム:水門が急に閉じて、流れていた水の慣性で「ガコン!」と配管が鳴る(ウォーターハンマー現象)。

ステージ4:完全OFF

MOSFET内部:ゲートのコンデンサが完全に放電し、チャネルが消滅。電流ゼロ。

ダム:水門が完全に閉じ、水は止まった状態。

ターンオフ最大の注意点:サージ電圧
電流を急に止めると、配線のインダクタンスが「流し続けたい!」と逆起電力を発生させます。これがMOSFETの定格電圧を超えると、素子が一発で壊れます。サージ対策(スナバ回路など)が必要な理由はここにあります。

ターンオン/オフが「速い・遅い」で何が変わるか

設計レビューで「ターンオンが遅い」「ターンオフを速くしたい」と話題になるのは、これによって3つの大事な要素が変わるからです。

項目 速くした場合 遅くした場合
スイッチング損失 小さい(高効率) × 大きい(発熱増)
サージ電圧 × 大きい(壊れやすい) 小さい(安全)
ノイズ(EMI) × 多い(規格通らない) 少ない(規格通る)
現場の声
パワエレ設計の世界では「速いほど良い」とは言えません。速いと損失は減るけど、サージとノイズで地獄を見ます。逆に遅いと発熱で素子が燃える。だから「ちょうどいい速度」を見つけるのが設計者の腕の見せどころなんです。

この「ちょうどいい速度」を調整するのが、ゲート抵抗です。ゲート抵抗を変えると、ゲートのコンデンサを充電する電流が変わり、結果としてターンオン/オフ時間が変わります。

おすすめの本

パワーエレクトロニクスの全体を、図でつかみたいときに向いています。パワーエレクトロニクスを、カラーの図解で解説した本です。

データシートのどこを見れば「ターンオン時間」がわかるか

MOSFETのデータシートを開くと、必ず「Switching Characteristics(スイッチング特性)」という表があります。ここに4つの時間が並んでいます。

データシートの4つの時間

記号 英語 意味 ダムでたとえると
td(on) Turn-on Delay Time ON指令〜流れ始めるまで レバーを握ってから水が漏れ始めるまで
tr Rise Time 電流が0→負荷値になる時間 水門が一気に開く時間
td(off) Turn-off Delay Time OFF指令〜止まり始めるまで 逆レバーを引いて水門が動き始めるまで
tf Fall Time 電流が負荷値→0になる時間 水門が閉じきるまでの時間
ターンオン時間の合計
ターンオン時間 = td(on) + tr
ターンオフ時間 = td(off) + tf

ON指令を出してから完全にONになるまで、OFF指令を出してから完全にOFFになるまでが、それぞれの「ターンオン/オフ時間」です。

たとえば、データシートに「td(on) = 15ns、tr = 30ns」と書いてあれば、ターンオン時間は45ナノ秒(=0.000000045秒)。それくらいの短時間で起きている現象なんです。

まとめ|MOSFETの中で起きている現象が、もう怖くない

ターンオン・ターンオフは、最初は専門用語の響きで難しく感じますが、本質はシンプルです。「ゲートのコンデンサを充電/放電して、チャネル(電子の通り道)を開閉する過程」これだけです。

この記事のポイント

  • ON/OFFは「状態」、ターンオン/オフは「切り替わる過程」
  • MOSFETは「ダムの水門」と同じ仕組み(ゲートが管理人室、ドレインが上流、ソースが下流)
  • ゲートには見えないコンデンサがある。だから一瞬では切り替わらない
  • ターンオン = ゲート容量を充電してチャネルを開く過程(4ステージ)
  • ターンオフ = ゲート容量を放電してチャネルを閉じる過程(サージ電圧に注意)
  • 速い/遅いで「損失・サージ・ノイズ」のバランスが変わる

明日、設計レビューで「ターンオンが遅いね」と言われたら、もう黙って頷く必要はありません。「ゲートのコンデンサを充電するのに時間がかかっているんですよね。ゲート抵抗を見直しますか?」と返せれば、立派な一人前です。

次のステップは、この「ゲート容量」をもう少し深掘りすることです。「Qg(ゲートチャージ)」「Ciss(入力容量)」といった用語を理解すると、なぜターンオン時間が部品ごとに違うのかが完全にわかるようになります。

S
シラス
電験三種・QC検定1級 / メーカーでパワエレ設計・品質保証 実務10年

メーカーで電気設計と品質保証に携わってきた経験をもとに執筆しています。むずかしい専門用語をできるだけ使わず、はじめて学ぶ人がつまずかないように、図とたとえで説明することを大切にしています。

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